4H N-வகை SiC அடி மூலக்கூறு

Vetek செமிகண்டக்டர்4H N-வகை SiC அடி மூலக்கூறுதயாரிப்புகள் சிறந்த மின், வெப்ப மற்றும் இயந்திர பண்புகளைக் கொண்டுள்ளன, எனவே இந்த தயாரிப்பு அதிக சக்தி, அதிக அதிர்வெண், அதிக வெப்பநிலை மற்றும் அதிக நம்பகத்தன்மை தேவைப்படும் குறைக்கடத்தி சாதனங்களின் செயலாக்கத்தில் பரவலாகப் பயன்படுத்தப்படுகிறது.

4H N-வகை SiC இன் முறிவு மின்சார புல வலிமை 2.2-3.0 MV/cm வரை அதிகமாக உள்ளது. இந்த தயாரிப்பு அம்சம் அதிக மின்னழுத்தங்களைக் கையாள சிறிய சாதனங்களின் உற்பத்தியை அனுமதிக்கிறது, எனவே எங்கள் 4H N-வகை SiC அடி மூலக்கூறு பெரும்பாலும் MOSFETகள், Schottky மற்றும் JFET களை உற்பத்தி செய்ய பயன்படுத்தப்படுகிறது.

4H N-வகை SiC வேஃபரின் வெப்ப கடத்துத்திறன் சுமார் 4.9 W/cm·K ஆகும், இது வெப்பத்தை திறம்படச் சிதறடிக்கவும், வெப்ப திரட்சியைக் குறைக்கவும், சாதனத்தின் ஆயுளை நீட்டிக்கவும் உதவுகிறது மற்றும் அதிக ஆற்றல் அடர்த்தி பயன்பாடுகளுக்கு ஏற்றது.

மேலும், Vetek செமிகண்டக்டர் 4H N-வகை SiC வேஃபர் இன்னும் 600°C வரையிலான வெப்பநிலையில் நிலையான மின்னணு செயல்திறனைக் கொண்டிருக்கும், எனவே இது பெரும்பாலும் உயர் வெப்பநிலை உணரிகளை தயாரிக்கப் பயன்படுகிறது மற்றும் தீவிர சூழல்களுக்கு மிகவும் ஏற்றது.

n-வகை சிலிக்கான் கார்பைடு அடி மூலக்கூறில் சிலிக்கான் கார்பைடு எபிடாக்சியல் லேயரை வளர்ப்பதன் மூலம், சிலிக்கான் கார்பைடு ஹோமோபிடாக்சியல் வேஃபர் மேலும் SBD, MOSFET, IGBT போன்ற சக்தி சாதனங்களாக உருவாக்கப்படலாம், இவை மின்சார வாகனங்கள், ரயில் போக்குவரத்து, உயர் - சக்தி பரிமாற்றம் மற்றும் மாற்றம் போன்றவை.

Vetek செமிகண்டக்டர் வாடிக்கையாளர் தேவைகளை பூர்த்தி செய்ய அதிக படிக தரம் மற்றும் செயலாக்க தரத்தை தொடர்கிறது. தற்போது, ​​6 இன்ச் மற்றும் 8 இன்ச் தயாரிப்புகள் உள்ளன. பின்வருபவை 6-இன்ச் மற்றும் 8-இன்ச் SIC சப்ஸ்ட்ரேட்டின் அடிப்படை தயாரிப்பு அளவுருக்கள்:

6 lnch N-வகை SiC அடி மூலக்கூறு அடிப்படை தயாரிப்பு விவரக்குறிப்புகள்:

8 lnch N-வகை SiC அடி மூலக்கூறு அடிப்படை தயாரிப்பு விவரக்குறிப்புகள்:

4H N-வகை SiC அடி மூலக்கூறு கண்டறிதல் முறை மற்றும் சொல்: