MOCVD SiC பூச்சு உறிஞ்சி

VeTek செமிகண்டக்டர் MOCVD SiC பூச்சு சஸ்செப்டர் உயர்தரத்தால் ஆனதுகிராஃபைட், இது அதன் வெப்ப நிலைத்தன்மை மற்றும் சிறந்த வெப்ப கடத்துத்திறன் (சுமார் 120-150 W/m·K) ஆகியவற்றிற்காக தேர்ந்தெடுக்கப்பட்டது. கிராஃபைட்டின் உள்ளார்ந்த பண்புகள், உள்ளே இருக்கும் கடுமையான நிலைமைகளைத் தாங்குவதற்கு சிறந்த பொருளாக அமைகிறதுMOCVD உலைகள். அதன் செயல்திறனை மேம்படுத்த மற்றும் அதன் சேவை வாழ்க்கையை நீட்டிக்க, கிராஃபைட் சஸ்பெக்டர் கவனமாக சிலிக்கான் கார்பைடு (SiC) அடுக்குடன் பூசப்படுகிறது.

MOCVD SiC பூச்சு சஸ்பெப்டர் என்பது பயன்படுத்தப்படும் ஒரு முக்கிய அங்கமாகும்இரசாயன நீராவி படிவு (CVD)மற்றும்உலோக கரிம இரசாயன நீராவி படிவு (MOCVD) செயல்முறைகள். சிலிக்கான் அல்லது சிலிக்கான் கார்பைடு (SiC) செதில்களை ஆதரித்து வெப்பப்படுத்துவதும், அதிக வெப்பநிலை சூழலில் சீரான வாயு படிவதை உறுதி செய்வதும் இதன் முக்கிய செயல்பாடு ஆகும். குறைக்கடத்தி செயலாக்கத்தில் இது ஒரு தவிர்க்க முடியாத தயாரிப்பு ஆகும்.

குறைக்கடத்தி செயலாக்கத்தில் MOCVD SiC பூச்சு சஸ்செப்டரின் பயன்பாடுகள்:

செதில் ஆதரவு மற்றும் வெப்பமாக்கல்:

MOCVD SiC பூச்சு சஸ்பெப்டர் ஒரு சக்திவாய்ந்த ஆதரவு செயல்பாட்டைக் கொண்டிருப்பது மட்டுமல்லாமல், திறம்பட வெப்பப்படுத்தவும் முடியும்.செதில்இரசாயன நீராவி படிவு செயல்முறையின் நிலைத்தன்மையை உறுதிப்படுத்த சமமாக. படிவு செயல்பாட்டின் போது, ​​SiC பூச்சுகளின் உயர் வெப்ப கடத்துத்திறன் செதில்களின் ஒவ்வொரு பகுதிக்கும் வெப்ப ஆற்றலை விரைவாக மாற்றுகிறது, உள்ளூர் அதிக வெப்பம் அல்லது போதிய வெப்பநிலையைத் தவிர்க்கிறது, இதன் மூலம் இரசாயன வாயு செதில் மேற்பரப்பில் சமமாக வைக்கப்படுவதை உறுதி செய்கிறது. இந்த சீரான வெப்பமாக்கல் மற்றும் படிவு விளைவு செதில் செயலாக்கத்தின் நிலைத்தன்மையை பெரிதும் மேம்படுத்துகிறது, ஒவ்வொரு செதில்களின் மேற்பரப்பு பட தடிமனையும் சீராக மாற்றுகிறது மற்றும் குறைபாடு விகிதத்தை குறைக்கிறது, மேலும் குறைக்கடத்தி சாதனங்களின் உற்பத்தி மகசூல் மற்றும் செயல்திறன் நம்பகத்தன்மையை மேம்படுத்துகிறது.

எபிடாக்ஸி வளர்ச்சி:

இல்MOCVD செயல்முறை, SiC பூசப்பட்ட கேரியர்கள் எபிடாக்ஸி வளர்ச்சி செயல்பாட்டில் முக்கிய கூறுகள். சிலிக்கான் மற்றும் சிலிக்கான் கார்பைடு செதில்களை ஆதரிக்கவும் சூடாக்கவும் அவை குறிப்பாகப் பயன்படுத்தப்படுகின்றன, இரசாயன நீராவி கட்டத்தில் உள்ள பொருட்கள் ஒரே மாதிரியாகவும் துல்லியமாகவும் செதில் மேற்பரப்பில் வைக்கப்படுவதை உறுதிசெய்து, அதன் மூலம் உயர்தர, குறைபாடு இல்லாத மெல்லிய படக் கட்டமைப்புகளை உருவாக்குகின்றன. SiC பூச்சுகள் அதிக வெப்பநிலையை எதிர்ப்பது மட்டுமல்லாமல், மாசு மற்றும் அரிப்பைத் தவிர்க்க சிக்கலான செயல்முறை சூழல்களில் இரசாயன நிலைத்தன்மையையும் பராமரிக்கின்றன. எனவே, SiC மின் சாதனங்கள் (SiC MOSFETகள் மற்றும் டையோட்கள் போன்றவை), LED கள் (குறிப்பாக நீலம் மற்றும் புற ஊதா LEDகள்) மற்றும் ஒளிமின்னழுத்த சூரிய மின்கலங்கள் போன்ற உயர்-துல்லிய செமிகண்டக்டர் சாதனங்களின் எபிடாக்ஸி வளர்ச்சி செயல்பாட்டில் SiC பூசப்பட்ட கேரியர்கள் முக்கிய பங்கு வகிக்கின்றன.

காலியம் நைட்ரைடு (GaN)மற்றும் காலியம் ஆர்சனைடு (GaAs) Epitaxy:

SiC பூசப்பட்ட கேரியர்கள் அவற்றின் சிறந்த வெப்ப கடத்துத்திறன் மற்றும் குறைந்த வெப்ப விரிவாக்க குணகம் காரணமாக GaN மற்றும் GaAs எபிடாக்சியல் அடுக்குகளின் வளர்ச்சிக்கு ஒரு தவிர்க்க முடியாத தேர்வாகும். அவற்றின் திறமையான வெப்ப கடத்துத்திறன் எபிடாக்சியல் வளர்ச்சியின் போது வெப்பத்தை சமமாக விநியோகிக்க முடியும், டெபாசிட் செய்யப்பட்ட பொருட்களின் ஒவ்வொரு அடுக்கும் கட்டுப்படுத்தப்பட்ட வெப்பநிலையில் ஒரே மாதிரியாக வளருவதை உறுதி செய்கிறது. அதே நேரத்தில், SiC இன் குறைந்த வெப்ப விரிவாக்கம் தீவிர வெப்பநிலை மாற்றங்களின் கீழ் பரிமாண ரீதியாக நிலையானதாக இருக்க அனுமதிக்கிறது, செதில் சிதைவின் அபாயத்தை திறம்பட குறைக்கிறது, இதன் மூலம் எபிடாக்சியல் அடுக்கின் உயர் தரம் மற்றும் நிலைத்தன்மையை உறுதி செய்கிறது. இந்த அம்சம் SiC- பூசப்பட்ட கேரியர்களை உயர்-அதிர்வெண், உயர்-பவர் எலக்ட்ரானிக் சாதனங்கள் (GaN HEMT சாதனங்கள் போன்றவை) மற்றும் ஆப்டிகல் கம்யூனிகேஷன்ஸ் மற்றும் ஆப்டோ எலக்ட்ரானிக் சாதனங்கள் (GaAs-அடிப்படையிலான லேசர்கள் மற்றும் டிடெக்டர்கள் போன்றவை) உற்பத்தி செய்வதற்கான சிறந்த தேர்வாக அமைகிறது.

VeTek செமிகண்டக்டர்MOCVD SiC பூச்சு சஸ்பெக்டர் கடைகள்: